Memorias de cambio de fase

Después de unos días de arduo trabajo (si, ajá), bueno, de estar sentado todo el día enfrente de la computadora, escuchando a personas estresarse y decir babosadas, por fin tengo tiempo de escribir.

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La memoria de cambio de fase o Phase-Change Memory, es un tipo de memoria no volátil (o sea, que los datos contenidos no se borran al no contar con energía, nada que ver con explosiones) que puede configurarse en dos diferentes estados, con el uso de calor, de manera rápida, superando en miles de veces la velocidad de lectura/escritura, de las memorias actuales. Este tipo de memoria,  no está basada en silicio, ocupa un cristal llamado, calcógeno, el cual es capaz de cambiar su estructura de vidrio a conglomerado, pudiendo alcanzar los 100 millones de ciclos de escritura, y retrasando su degradación. Al referirme al cambio de estado/estructura, me refiero a su resistencia eléctrica; con esto, podemos determinar los estados binarios (1/0) para generar la memoria.
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Ahora, después de muchos prototipos de varias empresas, Micron es la primera que se atreve a comercializar la primera PCM,  destinada a dispositivos móviles, y consiste en un paquete multichip con 1GB de PCM y 512 de memoria LPDDR2, con un diseño de 45nm, con una velocidad de lectura de 400MB/s, lo suficientemente rápida como las unidades de estado sólido.

Lo interesante, será ver como reaccionará la competencia, y en especial sus rivales directos (Samsung y Hynix) ante este anuncio, y la apertura a una nueva tecnología llena de un sinnúmero de posibilidades.